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文章通讯作者为山东大学桑元华教授、用管山东大学刘宏教授，用管第一作者为山东大学晶体材料国家重点实验室的高文强博士和博士研究生赵晓蕾，山东大学为第一作者和通讯作者单位。I-t光电化学测试表明材料具有良好的光响应，然气且施加磁场光电流增强，Ni0.05 dopedCdS/MoS2增长最明显。销售图5. 理论计算理论计算表明Ni掺杂进CdS和MoS2中赋予材料自旋极化特性。

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在不施加磁场时，调整道天Ni掺杂赋予CdS自旋极化特性从而抑制光生电子-空穴的复合。

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